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國儀量子場發(fā)射電鏡

簡要描述:國儀量子場發(fā)射電鏡是一款高分辨率、功能豐富的場發(fā)射掃描電子顯微鏡,產(chǎn)品型號為SEM5000。這款電鏡采用了*的鏡筒設(shè)計,包括高壓隧道技術(shù)(SuperTunnel)和低像差無漏磁物鏡設(shè)計,從而實現(xiàn)了低電壓高分辨率成像,并且適用于磁性樣品的觀測。

  • 產(chǎn)品型號:
  • 廠商性質(zhì):經(jīng)銷商
  • 更新時間:2025-07-22
  • 訪  問  量:2932

詳細(xì)介紹

品牌國儀量子產(chǎn)地類別國產(chǎn)
儀器種類場發(fā)射應(yīng)用領(lǐng)域綜合


國儀量子場發(fā)射電鏡功能

1. 高分辨率成像:憑借場發(fā)射電子槍,能產(chǎn)生亮度的電子束,實現(xiàn)原子級別的分辨率,可清晰觀察到材料表面極為細(xì)微的結(jié)構(gòu)和形貌特征,比如納米材料的晶格結(jié)構(gòu)、半導(dǎo)體器件中的微小線路。這是因為場發(fā)射電子槍能提供更穩(wěn)定且能量集中的電子源,大大降低了電子束的發(fā)散程度,使得成像更加清晰銳利。

2. 成分分析:搭配能譜儀(EDS)或波譜儀(WDS)等附件,可對樣品微區(qū)進(jìn)行元素定性與定量分析。通過測量電子與樣品相互作用產(chǎn)生的特征X射線,確定微區(qū)內(nèi)所含元素種類及其相對含量。在分析金屬合金時,能準(zhǔn)確得知各合金元素的比例,助力材料研發(fā)與質(zhì)量控制。這是基于不同元素的原子在受到電子激發(fā)后,會發(fā)射出具有特定能量和波長的X射線,通過檢測這些X射線來確定元素成分。

3. 晶體結(jié)構(gòu)分析:借助電子衍射技術(shù),當(dāng)電子束照射到晶體樣品上時,會產(chǎn)生衍射圖案,通過對這些圖案的分析,可確定樣品的晶體結(jié)構(gòu)、晶格參數(shù)以及晶體取向等信息。對于研究礦物晶體、新型陶瓷材料的晶體特性有著重要作用。這是由于晶體結(jié)構(gòu)的周期性會使電子發(fā)生相干散射,形成特定的衍射花樣,與晶體結(jié)構(gòu)存在對應(yīng)關(guān)系。

4. 動態(tài)觀察:能夠在一定條件下對樣品進(jìn)行動態(tài)觀察,如觀察材料在加熱、冷卻、拉伸等過程中的微觀結(jié)構(gòu)變化。在材料熱處理研究中,實時監(jiān)測材料在不同溫度下的晶粒生長、相變等過程,為優(yōu)化材料性能提供關(guān)鍵數(shù)據(jù)。這得益于電鏡可與一些原位實驗裝置相結(jié)合,在不破壞樣品觀察環(huán)境的前提下實現(xiàn)動態(tài)觀測。

國儀量子場發(fā)射電鏡應(yīng)用

1. 材料科學(xué)領(lǐng)域:在新型半導(dǎo)體材料研發(fā)中,利用其高分辨率成像功能觀察半導(dǎo)體納米線的生長形態(tài)和晶體結(jié)構(gòu),通過成分分析確定摻雜元素分布,助力提升半導(dǎo)體器件性能;在金屬材料研究方面,分析金屬材料在不同加工工藝下的微觀組織變化,如晶粒尺寸、位錯密度等,為改善金屬材料的強度、韌性等力學(xué)性能提供依據(jù)。

2. 生命科學(xué)領(lǐng)域:用于生物樣品的超微結(jié)構(gòu)觀察,如細(xì)胞內(nèi)部細(xì)胞器的形態(tài)和分布、病毒的形態(tài)結(jié)構(gòu)等。由于生物樣品通常對電子束敏感,需進(jìn)行特殊的樣品制備處理,但場發(fā)射電鏡的高分辨率成像能力能在盡量減少對樣品損傷的情況下,提供生物樣品精細(xì)的微觀結(jié)構(gòu)信息,幫助科學(xué)家深入了解生命過程的微觀機制。

3. 納米技術(shù)領(lǐng)域:在納米材料的合成與表征中起著關(guān)鍵作用,可觀察納米粒子的尺寸、形狀、分散性等,對納米材料的性能有重要影響。比如在研究碳納米管時,通過場發(fā)射電鏡確定其管徑、長度及管壁結(jié)構(gòu),為其在復(fù)合材料、電子器件等領(lǐng)域的應(yīng)用提供基礎(chǔ)數(shù)據(jù)。

4. 地質(zhì)與礦產(chǎn)領(lǐng)域:分析礦物的微觀結(jié)構(gòu)和成分,確定礦物的晶體結(jié)構(gòu)類型,有助于識別新的礦物種類和研究礦物的形成條件。對于礦產(chǎn)資源的勘探和開發(fā),通過對礦石樣品的微觀分析,了解礦石中有用礦物的嵌布特征和共生關(guān)系,為選礦工藝的優(yōu)化提供依據(jù)。

5. 電子工業(yè)領(lǐng)域:在集成電路制造過程中,用于檢測芯片表面的缺陷、線寬測量以及內(nèi)部結(jié)構(gòu)分析??梢园l(fā)現(xiàn)芯片制造過程中出現(xiàn)的微小瑕疵,如光刻工藝中的線條變形、短路等問題,確保芯片的質(zhì)量和性能,保障電子產(chǎn)品的可靠性。



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